【光源科普】極紫外 (EUV) 和半導(dǎo)體
?【光源科普】極紫外 (EUV) 和半導(dǎo)體
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極紫外 (EUV) 是波長為13.5納米的極短紫外線
它具有與X射線相似的特性。
采用尖端微加工技術(shù)，實現(xiàn)極高的分辨率。
極紫外（EUV）技術(shù)的開發(fā)是為了實現(xiàn)傳統(tǒng)光刻技術(shù)難以實現(xiàn)的下一代超精細(xì)加工。
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極紫外 (EUV) 和半導(dǎo)體
在半導(dǎo)體制造的光刻技術(shù)中，紫外光的波長越短，可以形成更高分辨率的圖案。?
ArF準(zhǔn)分子激光器（波長：193納米）主要用于半導(dǎo)體制造。
?ArF光刻利用浸沒技術(shù)實現(xiàn)了45納米以下的微細(xì)加工，
但進(jìn)一步小型化還存在限制。
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EUV光刻技術(shù)的引入使得形成22納米或更小的電路圖案成為可能，這在以前是很困難的。
這提高了半導(dǎo)體的性能并節(jié)省了能源，
從而提高了智能手機(jī)和計算機(jī)的處理能力。
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另一方面，EUV光刻仍然面臨光源成本和技術(shù)問題。
大規(guī)模生產(chǎn)的進(jìn)一步開發(fā)正在進(jìn)行中。
盡管極紫外（EUV）技術(shù)與ArF浸沒技術(shù)相比具有更高的分辨率，但它仍然是一項正在開發(fā)中的技術(shù)。
進(jìn)一步提高光源的輸出并開發(fā)利用高輸出光源的微加工技術(shù)正在取得進(jìn)展。
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